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奈米ATO|纳米氧化锡锑粉体纳米ATO导电粉|纳米ATO抗静电粉

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发布时间2020年03月24日
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30纳米ATO导电隔热粉
概要
SnO2是一禁带宽达3.8eV的绝缘体，当产生O空位或掺杂F、Sb等元素后，形成n型半导体，其中锑掺杂二氧化锡（简称ATO）具有优良的电学性能和光学性能。作为抗静电材料广泛应用在涂料、化纤、高分子膜等方面，显示出比其它抗静电材料如石墨、表面活性剂、金属粉较大的优越性，如耐候性、耐磨性、分散性。此外在光电显示器件、液晶显示（LCD）、透明电极、太阳能电池、建筑用低辐射率等玻璃、催化等领域有广泛的应用。
技术指标
型号